意法半导体大中国区新总部在上海正式启用|PCB设计

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日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同IGBT技术。GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT) IGBT技术，而GA200TS60UPbF, GA75TS120UPbF,及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。GB100TS60NPbF,GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第5代非穿通(NPT)技术，可实现10μs短路功能的额外优势。该GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF是专为高达1kHz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个IGBT是与用于桥配置的HEXFRED超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8kHz～60kHz的高工作频率，在共振模式下可实现200kHz以上的工作频率。

　　Vishay新型IGBT系列具有75A～200A的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。对于输出逆变器TIG焊机应用，这些IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的Vce(on) .

　　这些新型IGBT无铅(Pb)，并且可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低EMI，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。

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